RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
53
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3047
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link