RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3300
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link