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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3134
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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