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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
166
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
166
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1107
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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