RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
81
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
6.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1456
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link