RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
53
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3429
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link