RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
53
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3742
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link