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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
53
Rund um -194% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
17.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3507
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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