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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
83
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1752
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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