TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gesamtnote
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Unterschiede

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 17.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 53
    Rund um -141% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 1,590.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    53 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,726.4 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,590.1 left arrow 13.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    522 left arrow 3182
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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