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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
53
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3057
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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