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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
53
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2711
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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