RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2312
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link