RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
53
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2709
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link