RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
53
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2512
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link