RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
53
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1878
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link