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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Team Group Inc. 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2873
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Team Group Inc. 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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