RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
53
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2186
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link