RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gesamtnote
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2354
2513
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Inmos + 256MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link