RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
70
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2354
1946
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link