RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
3497
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link