RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
2650
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link