RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
44
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
4122
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link