RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
44
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
3515
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link