RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
3366
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link