RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3448
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link