RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3431
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link