RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
1891
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link