RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
45
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
2925
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link