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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
66
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
50
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2429
2512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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