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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
66
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
55
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2429
2701
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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