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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Compara
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
66
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
43
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2429
2128
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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