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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1677
2666
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
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