RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1677
2490
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link