RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1677
2584
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link