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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
2984
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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