RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
40
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
3171
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link