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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
44
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
40
44
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
1977
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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