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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3693
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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