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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2731
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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