RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2971
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link