RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2935
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link