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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
60
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2359
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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