RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
62
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
1808
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link