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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2379
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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