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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2982
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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