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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2174
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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