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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2386
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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