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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2104
2415
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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