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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
3409
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston HX316C10F/8 8GB
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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